[0001] 本发明设及一种陶瓷，具体设及一种自洁抗菌陶瓷釉及其制备方法。属于陶瓷技 术领域。

　　[0002] 传统陶瓷W白色为主，釉面只采用娃酸错起白色作用，并无其他功能，而且传统陶 瓷釉面在放大镜下是凹凸不平的，使得污垢、细菌易于躲藏、繁殖;后来，在传统陶瓷烧制成 品后，加入后期涂膜热处理，没有经过高溫烧制，涂膜稳定性差，易剥落，最终失去了防污抗 菌效果。针对上述问题，国内外研制出了各类具有优异抗菌性能的无机抗菌材料，被广泛应 用于纤维、陶瓷、塑料、建材、涂料、搪瓷等各个领域。目前广泛研究的无机抗菌材料主要集 中在金属4旨、加、211、11和一些稀有金属元素及其氧化物。目前的抗菌陶瓷主要是通过添加 氧化铁、银、稀±元素或者麦饭石和远红外材料抗菌剂来实现杀菌作用。然而现有的抗菌陶 瓷要么生产成本高不利于大范围推广使用，要么对热和光敏感，容易变黑影响浅色陶瓷的 外观，最重要的是，抗菌效果均不够理想。

　　[0003] 中国发明专利公开号CN101580342A，公开日2009年11月18日，发明创造名称:一种 自洁抗菌陶瓷釉及其制备方法与陶瓷产品，该发明公开了一种自洁抗菌陶瓷釉及其制备方 法与陶瓷产品，关键于含有Ti元素和Ag元素，具体组成为:SiO巧2~72%、Al2〇^~9%、CaO 6~10%、K2〇2~6%、rfe2〇〇.5~1.5%、Zn00.5~3%、Li2〇l~3%、Ti〇24~8%、V2〇5l~ 3%、Ag2〇3l~5%。虽然该发明陶瓷釉釉面平整度高，晶质细致精密、光洁度好、无针孔、玻璃 感极柔极佳，触摸感觉非常平滑，并且达到超平滑釉面的自洁抗菌的永久效果，然而存在如 下不足:Ti元素和Ag元素是W氧化物形式存在，抗菌效果在时效和菌种均有限。

　　[0004] 本发明的目的是为克服上述现有技术的不足，提供一种自洁抗菌陶瓷釉。

　　[0009]所述的氨氧化错由二氨氧化错和四氨氧化错组成，二氨氧化错和四氨氧化错的质 量比为1:1~5

　　[0015] (1)向加入助剂蒸馈水溶液中，依次添加余下组分，常溫下，超声分散，充分溶解 后，后将其倒入球磨罐中，W80-120巧m转速，球磨3-4h，得混合料；

　　[0016] (2)将混合料在惰性气体保护下，900~1000°C下烙炼1~1.5小时，接着在1300~ 1500°C下，烙炼1~2小时，然后水泽，得到块状釉料；

　　[0017] (3)将块状釉料经湿法球磨后，过筛除杂得到釉浆，将釉浆施于巧体表面，干燥至 釉浆中的水分小于1%后，分别在1000~ll〇〇°C和1200~1250°C下交替烧制2~3次，每次烧 制时间为20~30分钟，冷却后，得到陶瓷釉料。

　　[0021] 本发明提供的产品经测试，产品达到国家防静电陶瓷砖标准GB26539-2011要求、 《抗菌陶瓷制品抗菌性能》JC/T897-2002的要求。

　　[0022] 本发明的抗菌陶瓷WSi化为基料，添加高岭±、钢基膨润±、珍珠岩粉等辅料，再 添加纳米M巧2、氨氧化错、氨氧化嫁、纳米氧化铜锡组分并调整各组分的含量，意外发现通 过本发明配方的协同作用达到明显优于现有技术的抗菌效果。舍弃了含铁或含银的杀菌材 料，彻底避免了现有抗菌陶瓷对热和光敏感的问题。本发明的陶瓷能很快达到抗菌效果，起 效快，且抗菌性能够较长时间保持。通过本发明的陶瓷釉料制备的陶瓷样品盛放牛奶的最 长耐变质时间也是远远优于市场上的普通陶瓷釉料产品（20小时W下）。

　　[0023] 本发明的错会影响细菌对铁离子的吸收，错离子与铁离子竞争地进入细胞，阻断 铁相关代谢，影响细菌生长。在本发明组份调整中，意外的发现，纳米氧化铜锡、纳米Mg此均 对对常见细菌有较好的抗菌活性，二者协同作用性能更为优异，可W添加到无机材料中，审U 备成抗菌材料等，具有广阔的应用前景。

　　[0024] 下面结合实施例对本发明进行进一步的阐述，应该说明的是，下述说明仅是为了 解释本发明，并不对其内容进行限定。

　　[00%] -种自洁抗菌陶瓷釉，包括W下重量份的组分：水20份、Si〇230份、Ab化16份、 CaC〇3l2份、B2O31份、化2Si〇3l份、ZnO 1份、CuO 1份、MnO 1份、M邮a份、氨氧化错0.04份、氨 氧化嫁0.08份、纳米氧化铜锡0.5份、助剂1份。

　　[0027] 所述的氨氧化错由二氨氧化错和四氨氧化错组成，二氨氧化错和四氨氧化错的质 量比为1:1

　　[0033] (4)向加入助剂蒸馈水溶液中，依次添加余下im电竞官方登陆入口组分，常溫下，超声分散，充分溶解 后，后将其倒入球磨罐中，W80巧m转速，球磨化，得混合料；

　　[0034] (5)将混合料在惰性气体保护下，900°C下烙炼1小时，接着在1300°C下，烙炼1小 时，然后水泽，得到块状釉料；

　　[0035] (6)将块状釉料经湿法球磨后，过筛除杂得到釉浆，将釉浆施于巧体表面，干燥至 釉浆中的水分小于1%后，分别在l〇〇〇°C和1200°C下交替烧制2次，每次烧制时间为20分钟， 冷却后，得到陶瓷釉料。

　　[0039] 一种自洁抗菌陶瓷釉，包括W下重量份的组分：水90份、Si〇265份、Ab化28份、 CaC〇333份、B2034份、Na2Si〇39份、ZnO 6份、CuO 4份、MnO 4份、M巧23份、氨氧化错5份、氨氧化 嫁8份、纳米氧化铜锡3份、助剂10份。

　　[0040] 所述的氨氧化错由二氨氧化错和四氨氧化错组成，二氨氧化错和四氨氧化错的质 量比为1:5

　　[0046] (7)向加入助剂蒸馈水溶液中，依次添加余下组分，常溫下，超声分散，充分溶解 后，后将其倒入球磨罐中，W12化pm转速，球磨4h，得混合料；

　　[0047] (8)将混合料在im电竞官方登陆入口惰性气体保护下，1000°C下烙炼1.5小时，接着在1500°C下，烙炼2 小时，然后水泽，得到块状釉料；

　　[004引（9)将块状釉料经湿法球磨后，过筛除杂得到釉浆，将釉浆施于巧体表面，干燥至 釉浆中的水分小于1%后，分别在ll00°C和1250°C下交替烧审ij3次，每次烧制时间为30分钟， 冷却后，得到陶瓷釉料。

　　[0052] 所述的自洁抗菌陶瓷釉，包括W下重量份的组分：水30份、Si〇235份、Ab化20份、 0曰(：〇314份、82〇31.5份、胞251〇35份、211〇3份、〇1〇2份、]\111〇1.2份、]\^出1.5份、氨氧化错0.1 份、氨氧化嫁0.2份、纳米氧化铜锡1份、助剂2份。

　　[0053] 所述的氨氧化错由二氨氧化错和四氨氧化错组成，二氨氧化错和四氨氧化错的质 量比为1:1.5

　　[0059] (10)向加入助剂蒸馈水溶液中，依次添加余下组分，常溫下，超声分散，充分溶解 后，后将其倒入球磨罐中，W90巧m转速，球磨3.化，得混合料；

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